Изучение профиля железа имплантированного в кремнийстатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 сентября 2017 г.

Работа с статьей


[1] Изучение профиля железа имплантированного в кремний / А. В. Кожемяко, Ю. В. Балакшин, А. А. Шемухин, В. С. Черныш // Физика и техника полупроводников. — 2017. — Т. 51, № 6. — С. 778–782. Проведена имплантация ионов железа с энергиями 90, 250 кэВ и дозой облучения 1016 см-2 в монокристалл кремния с ориентацией (110). Методом резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием изучены профили распределения внедренной примеси, а также профили распределения радиационных дефектов в кристаллической решетке. Экспериментальные результаты сравниваются с результатами моделирования в программе TRIM. Показано, что при энергии 4.6 кэВ/нуклон средние проективные пробеги совпадают, однако при энергии 1.6 кэВ/нуклон различие составляет 35%. Кроме того показано, что расчет некорректно учитывает дозовую зависимость при энергиях 1.6-4.6 кэВ/нуклон. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть