|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The Parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon filmстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Сведения о статье проверены и подтверждены
Сведения о статье проверены и подтверждены
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 сентября 2017 г.
- Авторы: Shemukhin A.A., Balakshin Yu V., Evseev A.P., Chernysh V.S.
- Журнал: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
- Том: 406
- Номер: Part B
- Год издания: 2017
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 507
- Последняя страница: 510
- DOI: 10.1016/j.nimb.2017.04.055
- Работа выполнена в рамках проекта (проектов):
- Модификация и анализ поверхности ионным облучением и электронная микроскопия
- Ядерно-физические методы и физические свойства наноструктур
- Добавил в систему: Шемухин Андрей Александрович
Библиографическая ссылка на публикацию в стиле
ГОСТ |
plain |
abbrv |
acm |
alpha |
amsalpha |
amsplain |
apalike |
ieeetr |
siam
| [1] | The parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon film / A. A. Shemukhin, Y. V. Balakshin, A. P. Evseev, V. S. Chernysh // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 2017. — Vol. 406, no. Part B. — P. 507–510. [ DOI ] |