The Parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon filmстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Сведения о статье проверены и подтверждены

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 сентября 2017 г.

Работа с статьей


[1] The parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon film / A. A. Shemukhin, Y. V. Balakshin, A. P. Evseev, V. S. Chernysh // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 2017. — Vol. 406, no. Part B. — P. 507–510. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть