![]() |
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
[1] | The parameter influence of ion irradiation on the distribution profile of the defect in silicon film / A. A. Shemukhin, Y. V. Balakshin, A. P. Evseev, V. S. Chernysh // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 2017. — Vol. 406, no. Part B. — P. 507–510. [ DOI ] |