Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphireстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 декабря 2013 г.

Работа с статьей


[1] Fabrication of ultrafine silicon layers on sapphire / A. A. Shemukhin, Y. V. Balakshin, V. S. Chernysh et al. // Technical Physics Letters. — 2012. — Vol. 38, no. 10. — P. 907–909. The effect of energy, dosage, and temperature of irradiation of SOS structures by Si+ ions, as well as parameters of recrystallization annealing, on crystallinity of silicon film is shown. Implantation conditions and recrystallization annealing conditions are determined. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть