Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучениистатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК

Работа с статьей


[1] Механизмы дефектообразования и рекристаллизации в пленках кремния на сапфире при ионном облучении / А. А. Шемухин, Ю. В. Балакшин, В. С. Черныш и др. // Физика и техника полупроводников. — 2014. — Т. 48, № 4. — С. 535–538. Исследовано влияние параметров облучения (энергия, доза) КНС-структур ионами Si+ на качество кристаллической структуры пленки кремния после проведения твердофазной эпитаксиальной рекристаллизации и отжига. Показано, что наиболее эффективным механизмом восстановления кристаллической структуры является рекристаллизация от поверхностного слоя кремния, являющегося затравкой.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть