Аннотация:Пористый кремний обладает целым рядом необычных свойств, обусловленных малостью поперечного размера его образований, несильно превышающих размеры элементарной ячейки. Это ведет к тому, что в его свойствах в значительной степени проявляются квантовомеханические закономерности. В настоящее время появляется тенденция использования наночастиц кремния в наноэлектронике и биомедицинских направлениях, чем обусловлена
необходимость развития методик, которые дают модифицировать его физические свойства с высокой точностью и повторяемостью результата воздействия,
например, с помощью ионно-пучковой инженерии дефектов. Дефекты, образующиеся при ионном облучении, изменяют электронные и оптические свойства материалов, которые впоследствии влияют на такие свойства, как поглощение света, люминесценция, перенос и разделение носителей заряда. В данной работе исследовано влияние ионного облучения на структуру, оптические и электрофизические свойства пористого кремния. Эксперименты проводились на образцах кристаллического кремния и пористого кремния,
приготовленных по технологии электрохимического анодного травления из пластин кремния с ориентацией (111). Исследованы особенности спектров комбинационного рассеяния, проведен расчет значений проводимости.