Transport and magnetic properties of Mn- and Mg-implanted GaAs layersстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

[1] Transport and magnetic properties of mn- and mg-implanted gaas layers / V. A. Kulbachinskii, R. A. Lunin, P. V. Gurin et al. // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. — 2006. — Vol. 300, no. 1. — P. E20–E23. Mn-doped GaAs layers were fabricated by direct ion implantation into semi-insulating GaAs (1 0 0) substrates. The implanted samples were annealed at temperatures T-a = 700-800 degrees C. At these temperatures MnAs clusters are formed in GaAs due to decay of the supersaturated solid solution of Mn in GaAs. Additional Mg ion implantation was used to provide an enhancement of p-type doping in (Ga,Mn)As layers. Temperature dependence of resistance was measured between 4.2 and 300 K, and the Hall effect was measured at temperatures of 4.2-200 K. Anomalous Hall effect and ferromagnetic behavior have been found for all samples. An enhanced positive magnetoresistance was also observed at T > 30 K. (C) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть