|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Recombination-stimulated growth and relaxation of dislocation loops as a mechanism of multi-pulse laser damage of semiconductorsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Emel'yanov V.I., Rogacheva A.V.
- Журнал: Laser Physics Letters
- Том: 1
- Номер: 7
- Год издания: 2004
- Издательство: Wiley - VCH Verlag GmbH & CO. KGaA
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 362
- Последняя страница: 367
- DOI: 10.1002/lapl.200410081
- Аннотация: A new model of recombination-stimulated nucleation and growth of dislocation loops in semiconductors with intense laser generation of electron-hole pairs is developed. The model is shown to describe experimental results on multipulse laser dam- age of silicon surface
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич