Boundary conditions for the formation of a ferromagnetic phase during the deposition of Ti1-xCoxO2-delta thin filmsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Boundary conditions for the formation of a ferromagnetic phase during the deposition of ti1-xcoxo2-delta thin films / L. A. Balagurov, E. A. Gan'shina, S. O. Klimonskii et al. // Crystallography Reports. — 2005. — Vol. 50, no. 4. — P. 686–689. The conditions and the mechanism of the formation of a ferromagnetic phase in a Ti1-xCoxO2-delta oxide semiconductor are studied. It is found that the ferromagnetism manifests itself at room temperature in the films of Co-doped TiO2-delta oxide deposited on SrTiO3 (100) substrates only within a limited range of charge carrier densities: 2 x 10(18) -3 x 10(22) cm(-3). The minimum concentration of charge carriers corresponding to the formation of the ferromagnetic phase increases with a decrease in the cobalt content in the material under study. The ferromagnetism in Ti1-xCoxO2-delta thin films can be attributed to Co-enriched clusters with above critical sizes. (C)2005 Pleiades Publishing, Inc. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть