X-ray Diffraction Analysis of the Structure In0.53Ga0.47As Films Grown on (100) and (111)A GaAs Substrates with a Metamorphic Buffer

Folomeshkin, M.S.; Volkovsky, Y.A.; Prosekov, P.A.; Galiev, G.B.; Klimov, E.A.; Klochkov, A.N.; Pushkarev, S.S.; Seregin, A.Y.; Pisarevsky, Y.V.; Blagov, A.E.; Kovalchuk, M.V.

X-ray Diffraction Analysis of the Structure In0.53Ga0.47As Films Grown on (100) and (111)A GaAs Substrates with a Metamorphic Bufferстатья Исследовательская статья

Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus

Авторы: Folomeshkin M.S., Volkovsky Yu A., Prosekov P.A., Galiev G.B., Klimov E.A., Klochkov A.N., Pushkarev S.S., Seregin A.Yu, Pisarevsky Yu V., Blagov A.E., Kovalchuk M.V.
Журнал: Crystallography Reports
Том: 67
Номер: 3
Год издания: 2022
Издательство: Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства: Russian Federation
Первая страница: 317
Последняя страница: 322
DOI: 10.1134/s1063774522030075
Добавил в систему: Львов Кирилл Вячеславович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

X-ray Diffraction Analysis of the Structure In0.53Ga0.47As Films Grown on (100) and (111)A GaAs Substrates with a Metamorphic Bufferстатья Исследовательская статья