|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Diffusion-deformational instability and subboundary formation in the recrystallization of semiconductor filmson-insulatorстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 7 декабря 2013 г.
- Авторы: EMEL’YANOV V.I., SOUMBATOV A.A.
- Журнал: Applied Physics A: Materials Science and Processing
- Том: 54
- Номер: 2
- Год издания: 1992
- Издательство: Springer Verlag
- Местоположение издательства: Germany
- Первая страница: 196
- Последняя страница: 199
- DOI: 10.1007/BF00323911
- Аннотация: A novel (defect-deformational) mechanism for subboundary formation in laser beam recrystallization of semiconductor films is proposed. The theory is developed yielding explicit analytical expressions for the distance between subboundaries as a function of film thickness and the scanning velocity of the laser beam. The theoretical results obtained agree well with the experimental results
- Добавил в систему: Емельянов Владимир Ильич