PLASMA-DRIVEN INSTABILITY OF QUASI-LAMB ELASTIC MODES AS A MECHANISM OF LASER-INDUCED MICROPATTERNING OF A SILICON SURFACE WITH A SILICON DIOXIDE CAPстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 29 ноября 2013 г.
Аннотация:A model of the electron–hole plasma-driven instability of quasi-Lamb elastic modes in semiconductors
with a dioxide cap is developed and applied to the description of laser-induced micropatterning of the
semiconductor surface. A good correspondence of the theoretical and experimental results is obtained