|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Characterization of electrical and structural properties of ion-implanted GaAs by Raman scatteringстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 мая 2015 г.
- Авторы: Avakyants LP, Poliakov PA, Gorelik VS
- Журнал: Proceedings - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers
- Том: 4070
- Год издания: 2000
- Издательство: SPIE
- Местоположение издательства: Bellingham, WA, United States
- Первая страница: 438
- Последняя страница: 443
- DOI: 10.1117/12.378190
- Добавил в систему: Поляков Петр Александрович