Effect of heterovalent substitution on the electrical and optical properties of ZnO(M) thin films (M = Ga, In)статья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 марта 2017 г.

Работа с статьей


[1] Effect of heterovalent substitution on the electrical and optical properties of zno(m) thin films (m = ga, in) / N. A. Vorobyeva, M. N. Rumyantseva, R. B. Vasiliev et al. // Russian Journal of Inorganic Chemistry. — 2014. — Vol. 59. — P. 403–412. Films of undoped ZnO and zinc oxide doped with gallium and indium (ZnO(Ga) and ZnO(In)) have been prepared by the spin-coating method with the subsequent annealing at 500oC. Phase composition, microstructure, conductivity, and optical properties of the films have been investigated depending on the content of gallium and indium in them. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть