Transport Properties of Thin SnO2<Sb> Films Grown by Pulsed Laser Depositionстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 ноября 2013 г.

Работа с статьей


[1] Transport properties of thin sno2<sb> films grown by pulsed laser deposition / I. A. Petukhov, L. S. Parshina, D. A. Zuev et al. // Inorganic Materials. — 2013. — Vol. 49, no. 11. — P. 1123–1126. Thin SnO2<Sb> films grown by pulsed laser deposition have been characterized by X-ray diffraction, optical spectroscopy, and scanning electron microscopy. The carrier mobility and concentration in the films have been determined as functions of target composition (0–8 at % Sb) using Hall effect measurements, and the resistivity of the films has been measured by a four-probe technique. The lowest resistivity (ρ = 2 × 10−3 Ω cm) and the highest transmission (≃ 85%) of the films in the spectral range 400-800 nm have been obtained at a target composition Sb/(Sn + Sb) = 2 at %. The observed variation in the resistivity of the films is determined by changes in carrier concentration to a greater extent than by changes in carrier mobility. X-ray photoelectron spectroscopy results demonstrate that the predominant charge state of the antimony in the films is Sb5+. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть