Intrinsic ferromagnetism created by vacancy injection in a semiconductor oxide Ti1-xCoxO2-deltaстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] Intrinsic ferromagnetism created by vacancy injection in a semiconductor oxide ti1-xcoxo2-delta / A. F. Orlov, L. A. Balagurov, I. V. Kulemanov et al. // Physics of the Solid State. — 2011. — Vol. 53, no. 3. — P. 482–484. The possibility of creating room-temperature intrinsic ferromagnetism in a highly doped oxide semiconductor has been investigated. The results indicate that such state of a ferromagnetic semiconductor can be achieved by magnetron sputtering deposition of a semiconductor oxide doped with a transition metal followed by low-temperature vacuum annealing. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть