|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Особенности получения мощных (до 1 МВт, 100 мДж) 3-мкм наносекундных лазерных импульсов в эрбиевых кристаллах в частотном режиместатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Пушкин А.В., Потёмкин Ф.В.
- Журнал: Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики"
- Том: 116
- Номер: 8
- Год издания: 2022
- Аннотация: Исследованы усилительные и генерационные свойства эрбиевых лазерных кристаллов (Er:YAG, Er:YSGG, Cr:Er:YSGG) с высокой (до 50%) концентрацией иона активатора для получения мощного излучения наносекундной длительности в 3-мкм диапазоне длин волн на самоограниченном переходе. Измеренные коэффициенты усиления в них при мощной неселективной ламповой (до 260 Дж) и селективной диодной (до 3 Дж) накачке составляют от 1,2 до 2,1 и обеспечивают возможность создания эффективных усилителей. Показано, что для среды Er:YAG возбуждение высоколежащих энергетических уровней ( ^4 I_(9/2) и ^4 I_(11/2).) играет определяющую роль в формировании инверсии населенностей, в то время как для других эрбиевых сред это менее важно. В разработанном генераторе Er:YAG с электрооптической модуляцией добротности и двумя однопроходными усилителями получена энергия импульсов 62 мДж на 10 Гц в режиме ТЕМ00 моды. Оптико-механическая модуляция добротности на основе вращающегося зеркала открывает доступ к большей выходной энергии благодаря отсутствию потерь в оптических элементах и из-за деполяризации. В лазере Er:YAG получены одиночные импульсы с энергией 75 мДж и длительностью 123 нс на частоте 10 Гц, в то время как в Cr:ErYSGG высокий коэффициент усиления является ограничением на получение единичных наносекундных импульсов в такой схеме модуляции добротности. Разработка таких источников с высокой пиковой и средней мощностью представляет интерес для мощных фемтосекундных лазерных систем усиления чирпированных импульсов на основе халькогенидов, легированных ионами железа, в средней ИК (3-5 мкм) области тераваттного уровня.
- Добавил в систему: Потёмкин Фёдор Викторович