|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Определение модифицирующей добавки кремния в полупроводниковых газовых сенсорах на основе β-Ga2O3 методом рентгенофлуоресцентного анализа с полным внешним отражениемстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Филатова Д.Г., Богданова А.П., Кривецкий В.В., Пенкина Т.Н., Румянцева М.Н.
- Журнал: Заводская лаборатория. Диагностика материалов
- Том: 88
- Номер: 8
- Год издания: 2022
- Издательство: ТЕСТ-ЗЛ
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 5
- Последняя страница: 9
- DOI: 10.26896/1028-6861-2022-88-8-5-9
- Аннотация: Создание химических сенсоров актуально для решения экологических задач контроля атмосферы городов и промышленных зон. Перспективным типом химических газовых сенсоров являются полупроводниковые сенсоры на основе оксидов металлов за счет их высокой чувствительности, низкой стоимости, миниатюрности и малого энергопотребления. Первые попытки опытной эксплуатации систем контроля атмосферного воздуха на основе подобных сенсоров показали недостаточную стабильность их отклика. Легирование данного материала кремнием может позволить решить проблему. При этом данные о количестве добавки и ее распределении в материале необходимы для установления связи «условия синтеза — состав — свойства». Мы предлагаем подход к установлению состава новых полупроводниковых материалов на основе β-Ga2O3 с содержанием добавки кремния от 0,5 до 2 % ат. Подход включает измельчение образцов с помощью планетарной мельницы и приготовление суспензий в этиленгликоле с последующим определением аналитов методом РФА ПВО на сапфировых подложках методом абсолютных содержаний (Si) c Sr 0,08 и методом внешнего стандарта (Ga) c Sr 0,04. Рентгенофлуоресцентный анализ образцов проводили с использованием спектрометра S2 PICOFOX (Bruker Nano GmbH, Германия). Для возбуждения рентгеновской флуоресценции использовали излучение MoKα. Время набора спектра — 250 с. Показано, что с помощью анализа суспензий можно оценить однородность распределения добавки в материале. Исследуемые материалы демонстрируют невоспроизводимый сенсорный отклик, что мы связали с установленной неоднородностью распределения кремния по поверхности β-Ga2O3.
- Добавил в систему: Румянцева Марина Николаевна