|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Фотолюминесценция сапфира, облученного электронами и ионами низких энергийстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
- Авторы: Зыкова Е.Ю., Озерова К.Е., Татаринцев А.А., Туркин А.Н.
- Журнал: Оптика и спектроскопия
- Том: 130
- Номер: 9
- Год издания: 2022
- Первая страница: 1372
- Последняя страница: 1377
- DOI: 10.21883/OS.2022.09.53297.3397-22
- Аннотация: Для интерпретации процесса зарядки монокристаллического сапфира и влияния на этот процессрадиационно-стимулированных дефектов проведены фотолюминесцентные исследования исходного монокристаллического сапфира, а также сапфира, предварительно облученного ионами и электронами низкихэнергий. Спектры фотолюминесценции получены с использованием конфокального микроскопа с длинойволны возбуждения 445 nm и неконфокальным методом на длине волны 355 nm. Полученные результаты длявсех образцов показали линии, связанные с собственными дефектами, а также c примесными дефектами.Предварительное ионное облучение приводит к разупорядочению приповерхностной области образца, чтопроявляется в значительном увеличении интенсивности фотолюминесценции. Предварительное электронноеоблучение может приводить к изменению зарядового состояния изначально существующих в кристалледефектов.
- Добавил в систему: Татаринцев Андрей Андреевич