|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Hopping conductivity and magnetic field-induced Hall-insulator transition in InAs/GaAs quantum dot layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Rogozin V.A., Golikov A.V., Kytin V.G., Zvonkov B.N., Nekorkin S.M., Filatov D.O., de Visser A.
- Сборник: 10th International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, S. Petersburg, June 17-21, 2002, Proceedings
- Год издания: 2002
- Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 516
- Последняя страница: 519
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич