|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electron properties of delta-doped by Si on vicinal (111)A and (111)B surface GaAs structuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Galiev G.B., Kaminskii V.E., Rogozin V.A., Lunin R.A., Kytin V.G., Derkach A.V.
- Сборник: 11th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 23-28, 2003, Proceedings
- Год издания: 2003
- Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 316
- Последняя страница: 318
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич