Transport and anomalous Hall effect in p-type GaAs<Mn,Mg> layers fabricated by ion implantationстатья

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.

Работа с статьей


[1] Transport and anomalous hall effect in p-type gaas<mn,mg> layers fabricated by ion implantation / V. A. Kulbachinskii, P. S. Gurin, R. A. Lunin et al. // 13th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 20-25, 2005, Proceedings. — Ioffe Institute St. Petersburg, Russia, 2005. — P. 193–194.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть