|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Transport and anomalous Hall effect in p-type GaAs<Mn,Mg> layers fabricated by ion implantationстатья
- Авторы: Kulbachinskii V.A., Gurin P.S., Lunin R.A., Danilov Yu A., Kruglov A.V., Malysheva E.I.
- Сборник: 13th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, June 20-25, 2005, Proceedings
- Год издания: 2005
- Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 193
- Последняя страница: 194
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич