|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Influence of thin heterolayer insertion on the electron transport properties of GaAs/InGaAs/GaAs shallow quantum wellsстатья
- Авторы: Vasil'evskii I.S., Galiev G.B., Mokerov V.G., Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Galistu G., de_Visser A.
- Сборник: 15th International Symposium, Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia, June 25–29, 2007, Proceedings
- Год издания: 2007
- Место издания: Ioffe Institute St. Petersburg, Russia
- Первая страница: 321
- Последняя страница: 322
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич