Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAsтезисы доклада

Работа с тезисами доклада


[1] Влияние встроенного электрического поля на спектры фотолюминесценции в наногетероструктурах algaas/ingaas/gaas / Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев и др. // НАУЧНАЯ СЕССИЯ НИЯУ МИФИ-2010. Аннотации докладов. — Т. 3 из Научная сессия НИЯУ МИФИ. — Москва: Москва, 2010. — С. 18–21.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть