Anomalous hole transport and ferromagnetism in doped with Mn GaAs/InGaAs/GaAs quantum well or GaAs/InGaAs/GaAs quantum dot layerтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 июля 2017 г.

Работа с тезисами доклада


[1] Anomalous hole transport and ferromagnetism in doped with mn gaas/ingaas/gaas quantum well or gaas/ingaas/gaas quantum dot layer / V. A. Kulbachinskii, P. V. Gurin, Y. A. Danilov, O. Vikhrova // International conference on materials for advanced technologies-ICMAT2011, 26 June – 1 July , Singapore, Symposium L - Memory, Nanomagnetic materials and Devices. — Singapore, 2011. — P. 85–85.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть