|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
The Schottky device based on doped poly(para-phenylene)статья
- Авторы: Goldenberg L.M., Krinichnyi V.I., Nazarova I.B.
- Журнал: Synthetic Metals
- Том: 44
- Номер: 2
- Год издания: 1991
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 199
- Последняя страница: 203
- Аннотация: A sandwich-type Schottky element based on doped poly(p-phenylene) has been investigated. The doped poly(p-phenylene) was shown to give rectifying contact for indium. The Schottky device parameters have been evaluated from the voltage-current characteristics
- Добавил в систему: Криничный Виктор Иванович