Частота спин-трансферного наноосциллятора на основе перпендикулярной туннельной наногетероструктуры с ненулевой эллиптичностью

Шубин, Ю.Н.; Машаев, М.Х.; Ведяев, А.В.; Стрелков, Н.В.

Авторы: Шубин Ю.Н., Машаев М.Х., Ведяев А.В., Стрелков Н.В.
Журнал: Журнал экспериментальной и теоретической физики
Том: 161
Номер: 5
Год издания: 2022
Первая страница: 746
Последняя страница: 752
DOI: 10.31857/S0044451022050121
Аннотация: Свободный слой в наногетероструктуре с магнитным туннельным переходом (МТП) обычно имеет форму тонкого диска диаметром в несколько десятков нанометров и толщиной в несколько нанометров. При определенных значениях тока, протекающего через такую МТП-структуру, намагниченность свободного слоя испытывает стационарную прецессию, вызванную компенсацией диссипации энергии прецессии спин-трансферным эффектом. Важным свойством такого осциллятора является линейная зависимость частоты колебаний от приложенного напряжения. Если форма МТП-структуры приобретает эллиптичность при изготовлении, то колебания намагниченности становятся отличными от синусоидальных, и зависимость частоты от напряжения становится более сложной. В данной статье приводится приближенная формула для расчета частоты однодоменного наноосциллятора в МТП-структуре с ненулевой эллиптичностью, которая была получена с помощью ассимптотического метода решения уравнения Ландау-Лифшица с дополнительными феноменологическими транспортными слагаемыми. Также проводится сравнение полученной формулы с результатами численных расчетов, которое показывает хорошее согласование при малых отклонениях формы МТП-структуры от симметричного диска.
Добавил в систему: Стрелков Никита Викторович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Прикрепленные файлы