Oligothiophene-based monolayer field-effect transistors prepared by Langmuir-Blodgett techniqueстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 30 октября 2013 г.

Работа с статьей


[1] Oligothiophene-based monolayer field-effect transistors prepared by langmuir-blodgett technique / A. S. Sizov, E. V. Agina, F. Gholamrezaie et al. // Applied Physics Letters. — 2013. — Vol. 103, no. 4. — P. 043310. Quinquethiophene-based monolayer organic field-effect transistors (OFETs) prepared by Langmuir-Blodgett (LB) technique show hole mobilities up to 10−2 cm2/Vs and On/Off ratios up to 106. Functional logic LB monolayer devices operating in air have been demonstrated. The performance of LB OFETs is comparable to self-assembled monolayer field-effect transistors (SAMFETs) devices prepared by self-assembly from solution using the same organosilicon oligothiophene despite the LB OFET monolayer is weakly bounded to the dielectric surface. Taking into account that the LB technique is a fast and rather easy process, these findings highlight a high potential of LB technique for ultrathin organic electronics. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть