|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Enhancement of photoluminescence signal from ultrathin layers with silicon nanocrystalsстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 9 ноября 2017 г.
- Авторы: Dyakov S.A., Zhigunov D.M., Hartel A., Zacharias M., Perova T.S., Timoshenko V.Y.
- Журнал: Applied Physics Letters
- Том: 100
- Номер: 6
- Год издания: 2012
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 061908-1
- Последняя страница: 061908-4
- DOI: 10.1063/1.3682537
- Аннотация: Using the model of oscillating dipoles, we simulated the photoluminescence intensity of a triple-layered structure where the silicon nanocrystals layer was enclosed by buffer and capping silicon dioxide layers. It was found that a structure with an optimized buffer layer thickness exhibited photoluminescence which was approximately 20 times more intense than that from the structure without a buffer layer. Theoretical simulations were verified by photoluminescence measurements for the corresponding structures with silicon nanocrystals fabricated by plasma enhanced chemical vapour deposition.
- Добавил в систему: Жигунов Денис Михайлович