Raman scattering as nondestructive method for monitoring of GaAs (100) surface after electron-cyclotron plasma etchingстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей


[1] Raman scattering as nondestructive method for monitoring of gaas (100) surface after electron-cyclotron plasma etching / L. P. Avakyants, P. Y. Bokov, A. T. Grigor’ev, A. V. Chervyakov // IZVESTIYA AKADEMII NAUK SSSR SERIYA FIZICHESKAYA. — 2004. — Vol. 68, no. 3. — P. 450–453.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть