Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n-heterostructuresстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 28 мая 2015 г.

Работа с статьей

[1] Electroreflectance spectra of ingan/algan/gan p-n-heterostructures / A. E. Yunovich, L. Avakyants, M. Badgutdinov et al. // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 2006. — Vol. 955. — P. 210–212. Electroreflectance (ER) spectra of InGaN/AlGaN/GaN p-n- heterostructures with multiple quantum wells (MQW) are studied. Structures with MQW InGaN/GaN were grown for blue LEDs by MOCVD technology and flip-chip mounted. The ER spectral maxima correspond to the high energy side of electroluminescence spectral line. The ER spectra caused by Franz-Keldysh effect are approximated by Aspnes theory. The ER spectra in a range 400 + 800 nm have interference bands caused by the change of refraction index in the structure. © 2007 Materials Research Society.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть