A role of the built-in piezoelectric field in InGaN/AlGaN/GaN multiple quantum wells in the electroferlectance experimentsстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 октября 2013 г.

Работа с статьей


[1] A role of the built-in piezoelectric field in ingan/algan/gan multiple quantum wells in the electroferlectance experiments / P. Bokov, L. Avakyants, M. Badgutdinov et al. // Materials Research Society Symposium Proceedings. — 2008. — Vol. 1040. — P. 184–189. The influence of built-in piezoelectric field in the light-emitting diodes based on InGaN/AlGaN/GaN heterostructures on the electroreflectance spectra have been studied. The structures were grown by MOCVD technology and flip-chip mounted. Light was emitted or reflected through sapphire substrate. The interference fringes and spectral line connected with the InGaN/GaN multiple quantum wells region are observed in the electroreflectance spectra. Observed blue shift of spectral line from InGaN/GaN multiple quantum wells region with the increasing reverse bias voltage has been explained as the result of decreasing of the electric field in the quantum well. © 2008 Materials Research Society.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть