Photoreflectance spectroscopy of delta-doped GaAs layersстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science ,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
Авторы:
Avakyants L.P. ,
Bokov P.Yu ,
Bugakov I.V.,
Kolmakova T.P.,
Chervyakov A.V.
Журнал:
Inorganic Materials
Том:
47
Номер:
5
Год издания:
2011
Издательство:
Maik Nauka/Interperiodica Publishing
Местоположение издательства:
Russian Federation
Первая страница:
455
Последняя страница:
458
DOI:
10.1134/S0020168511050037
Аннотация:
Delta-doped GaAs layers have been studied by photoreflectance spectroscopy. The built-in electric fields and interband transition energies in the semiconductor structure have been evaluated from analysis of Franz-Keldysh oscillations. The delta-doped region is found to have an increased interband transition energy, which is interpreted in terms of the Burstein-Moss effect and carrier photogeneration. © 2011 Pleiades Publishing, Ltd.
Добавил в систему:
Боков Павел Юрьевич