Аннотация:Представлены результаты исследования тонких плёнок редкоземельныхгелимагнетиков (РЗМ) Dy и Ho методом рефлектометрии поляризованныхнейтронов. Было показано, что при росте редкоземельных структур наподложках сапфира с буферным слоем Nb методом магнетронного напыления[1 1 02]Al2O3 || [110]Nb || [ 0001] R происходит полная релаксация кристаллическихрешеток Nb и редкоземельной пленки. Было установлено, что ряд магнитныхфазовых переходов, характерных для объёмных Dy и Ho, не наблюдается втонких плёнках [ 0001] R толщиной 200 нм или наблюдается в изменённом виде.Также, из данных рефлектометрии поляризованных нейтронов и измеренийтемпературной зависимости намагниченности в плоскости образца былиопределены отличия в температурах Нееля и Кюри для тонких плёнок РЗМ посравнению с объёмными.