|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние облучения электронами на оптические свойства кристаллов гадолиний-алюминий-галлиевого гранатастатья Исследовательская статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
- Авторы: Касимова В.М., Козлова Н.С., Бузанов О.А., Забелина Е.В., Лагов П.Б., Павлов Ю.С.
- Журнал: Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
- Том: 12
- Год издания: 2021
- Издательство: ФГБУ "Издательство "Наука"
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 7
- Последняя страница: 11
- Переводные версии: Effect of Electron Irradiation on the Optical Properties of Gadolinium-Aluminum-Gallium Garnet Crystals
- DOI: 10.31857/S1028096021120074
- Аннотация: Исследовано влияние облучения электронами на свойства кристаллов гадолиний-алюминий-галлиевых гранатов Gd3Al2Ga3O12 (Al : Ga = 2 : 3), Gd3Al3Ga2O12 (Al : Ga = 3 : 2) и кристаллов, легированных церием: Gd3Al2Ga3O12:Сe (Al : Ga = 2 : 3) (GAGG:Ce). Облучение легированных кристалловдозами электронов от 300 до 2500 Мрад не оказывает влияния на оптические свойства кристаллов,что свидетельствует об устойчивости к формированию дефектов при воздействии высокоэнергетического облучения. Оптическое пропускание нелегированных матриц Gd3Al2Ga3O12 и Gd3Al3Ga2O12, облученных дозами электронов 300 и 400 Мрад, заметно уменьшается, бесцветные кристаллы меняют свою окраску – становятся коричневатыми. Образуется широкая полоса поглощения в диапазоне длин волн 350–500 нм, связанная с образованием структурных дефектов в виде центров окраски. Коэффициенты преломления кристаллов составов Gd3Al2Ga3O12 и GAGG:Ce практически не изменились, но в случае Gd3Al3Ga2O12 наблюдается увеличение n(λ) в зависимости от воздействия высокоэнергетического излучения. Характерные для необлученного GAGG:Ce полосы поглощения с максимумами 340 и 440 нм, по всей видимости, также связаны с образованием дефектов кристаллической решетки, а не только с электронными переходами Ce.
- Добавил в систему: Павлов Юрий Сергеевич