High mobility thin film transistors with indium oxide/gallium oxide bi-layer structuresстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей

Прикрепленные файлы


Имя Описание Имя файла Размер Добавлен
1. Полный текст APL100_063506_2012.pdf 822,3 КБ 13 июня 2016 [fedyanin]

[1] High mobility thin film transistors with indium oxide/gallium oxide bi-layer structures / W. S-L, Y. J-W, Y. P-C et al. // Applied Physics Letters. — 2012. — Vol. 100. — P. 063506. We investigate the transport properties of thin-film transistors using indium oxide (In2O3)/gallium oxide (Ga2O3) bi-layer stacks as the channel material. At low gate bias, we observe the transistor field-effect mobility increases with the film resistivity to lFE¼51.3 cm2/Vs and ON/OFF current ratio to 108 due to combinatorial layer thickness modulation. With the Ga2O3 layer thickness ratio increase to R¼14.35%, these observations are accompanied with one-order-of-magnitude reduction in the transistor subthreshold swing to 0.38 V/decade and suggest a trap-limited conduction mechanism upon which the reduced scattering centers due to annihilation of subgap states improve the device electric characteristics without post-growth annealing. [ DOI ]

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть