Прыжковая проводимость Мотта и Эфроса-Шкловского в пленках из наночастиц Si, легированных фосфором и бором

Дорофеев, С.Г.; Кононов, Н.Н.; Бубенов, С.С.; Попеленский, В.М.; Винокуров, А.А.

Авторы: Дорофеев С.Г., Кононов Н.Н., Бубенов С.С., Попеленский В.М., Винокуров А.А.
Журнал: Физика и техника полупроводников
Том: 56
Номер: 2
Год издания: 2022
Издательство: Наука
Местоположение издательства: СПб.
Первая страница: 204
Последняя страница: 212
DOI: 10.21883/ftp.2022.02.51963.9727
Аннотация: Исследованы электрические характеристики тонких пленок, сформированных из наночастиц Si (nc-Si) с различной степенью легирования. Для исключения влияния ионной проводимости токовые параметры пленок регистрировались в сверхвысоком вакууме (P~3-5·10-9 Tорр) с предварительным высокотемпературным (950oC) отжигом. Анализ температурных зависимостей проводимости пленок nc-Si показал, что в пленках, сформированных из сильно легированных наночастиц (концентрация свободных электронов ne больше 1019 см-3), проводимость определяется прыжками с переменной длиной (variable range hopping conductionVRH). При температурах >300 K в этих образцах преобладает VRH Мотта, a при меньших температурах - VRH Эфроса-Шкловского. В пленках со средним уровнем легирования наночастиц (ne<1019 см-3) транспорт в пленках определяется совместным действием проводимостей Мотта, Эфроса-Шкловского и термически активированной проводимости. При этом термически активированная проводимость преобладает при температурах >560oC. В пленках nc-Si из нелегированных наночастиц транспортные параметры определяются термически активированной проводимостью и VRH Мотта. VRH Эфроса-Шкловского в таких пленках не наблюдается. Из анализа параметров, соответствующих проводимостям Мотта и Эфроса-Шкловского, найдены длины локализации волновых функций, плотности состояний на уровне Ферми (G(EF) ) и средние длины прыжков. Средние длины прыжков в пленках nc-Si из наночастиц, подвергнутых предварительному травлению в HF, находятся в диапазоне 56-86 нм, что указывает на то, что прыжки в таких пленках происходят при посредстве промежуточных наночастиц. Ключевые слова: легирование наночастиц Si, проводимость тонких пленок из наночастиц Si.
Добавил в систему: Попеленский Вадим Михайлович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных

Прыжковая проводимость Мотта и Эфроса-Шкловского в пленках из наночастиц Si, легированных фосфором и боромстатья

Прикрепленные файлы