Аннотация:Изготовлен анодный элемент рентгеновского литографа в виде мембранной структуры PolySi*/Si3N4/SiO2 по групповой технологии. Модернизирована конструкция стенда для определения механических свойств мембран. Критическое давление мембранной структуры диаметром 250 μm изменялось в диапазоне от 0.484 до 0.56 MPa для 15 образцов. Механическая прочность структуры PolySi*/Si3N4/SiO2 составила 3.13 GPa. Новая модель в пакете Comsol показала хорошую корреляцию между экспериментальным критическим давлением и теоретической механической прочностью мембраны. Представлено распределение механических напряжений по мембране посредством моделирования и аналитического расчета. Доказано, что область разрыва структуры локализована на границе мембрана/подложка. Ключевые слова: механическая прочность, мембраны, тонкие пленки, поликристаллический кремний, оксид кремния, нитрид кремния