Аннотация:В работе на конкретных примерах показаны возможности и ограничения метода контактной профилометрии при измерении рельефа микро и наноструктур, формируемых на подложках в процессе производства микроэлектронных приборов. Сформулированы требования к параметрам рельефа микроэлектронных структур, позволяющие использовать для их измерения и контроля контактные профилометры. Приведены способы формирования ступенек для измерения толщины пленок методом контактной профилометрии, проанализированы их преимущества и недостатки. Проведено сравнение метода контактной профилометрии с оптической профилометрией и атомно-силовой микроскопией.