(Er,Yb):GdAl3(BO3)4 Laser passively Q-switched by MBE-grown Cr:ZnS/Cr,Co:ZnS thin filmsтезисы доклада

Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 мая 2017 г.

Работа с тезисами доклада


[1] (er,yb):gdal3(bo3)4 laser passively q-switched by mbe-grown cr:zns/cr,co:zns thin films / K. N. Gorbachenya, V. E. Kisel, A. S. Yasukevich et al. // ICONO-LAT 2016 Conference: technical digest. — BNTU Minsk, 2016. — P. LTuJ2. Passively Q-switched Er,Yb:GdAB laser with MBE-grown Cr:ZnS/Cr,Co:ZnS thin film saturable absorber was demonstrated for the first time to our knowledge. The pulses with 10.7 μJ energy, 6 ns duration, and 31 kHz repetition rate were obtained at the wavelength of 1522 nm. The saturable absorber manufacturing technique allows obtaining integrtated AE-SK structures especially interesting for compact microchip Q-switched lasers with minimal pulse duration.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть