|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Влияние технологии постростовой обработки и параметров лазерного излучения на длинах волн 2091 и 1064 нм на порог оптического пробоя монокристалла zngep2статья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАКСтатья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 4 марта 2022 г.
- Авторы: Юдин Николай Николаевич, Антипов Олег Леонидович, Грибенюков Александр Иванович, Еранов Илья Дмитриевич, Подзывалов Сергей Николаевич, Зиновьев Михаил Михайлович, Воронин Леонид Александрович, Журавлева Елена Владимировна, Зыкова Марина Павловна
- Журнал: Квантовая электроника
- Том: 51
- Номер: 4
- Год издания: 2021
- Издательство: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук
- Местоположение издательства: Москва
- Первая страница: 306
- Последняя страница: 316
- Аннотация: Исследовано влияние постростовой обработки монокристаллов ZnGeP2 (низкотемпературный отжиг, облучение быстрыми электронами, полировка рабочих поверхностей) и условий воздействия импульсно-периодическим лазерным излучением (длина волны (2091 или 1064 нм), частота следования импульсов, диаметр пучка, время экспозиции, температура образца) на порог лазерного разрушения (ПЛР) поверхностей этих кристаллов. Установлено, что термический отжиг монокристаллов ZnGeP2 и их облучение потоком быстрых электронов, увеличивающие ПЛР на длине волны λ = 1064 нм, не приводят к изменению этого порога на λ = 2091 нм. Показано, что больший ПЛР на λ = 2091 нм имеют элементы ZnGeP2 с меньшими оптическими потерями в спектральном диапазоне 0.7-2.5 мкм как сразу после изготовления, так и после постростовой обработки. Выявлено увеличение пороговой плотности энергии лазерного излучения в 1.5-3 раза на λ = 2091 нм при уменьшении температуры кристалла от нуля до -60 °С. Методом цифровой голографии установлен факт обратимого фотопотемнения канала распространения лазерного излучения в ZnGeP2 в предпробойной области параметров.
- Добавил в систему: Зыкова Марина Павловна