|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
ГЕНЕРАЦИЯ ТЕРАГЕРЦЕВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЁНКАХ InGaAs ПРИ ФЕМТОСЕКУНДНОЙ ЛАЗЕРНОЙ НАКАЧКЕ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 1.56 МКМтезисы доклада
- Авторы: Кузнецов К.А., Галиев Г.Б., Климов Е.А., Корниенко В.В., Пушкарёв С.С., Китаева Г.Х.
- Сборник: Сборник тезисов 2 Юбилейной всероссийской конференции "Импульсная сильноточная вакуумная и полупроводниковая электроника" (ИСВПЭ-2016)
- Тезисы
- Год издания: 2016
- Место издания: ФИАН им. П.Н.Лебедева, Москва
- Первая страница: 1
- Последняя страница: 160
- Аннотация: Исследована генерация терагерцового излучения в эпитаксиальных пленках In0.53Ga0.47As/InP, выращенных в низкотемпературном режиме (low temperature growth– LTG) . LTG-InGaAs структуры были получены на подложках InP с ориентациями (100) и впервые (411)А при Tg = 200 °C и различных давлениях мышьяка. Исследованы морфология поверхности образцов с помощью атомно-силовой микроскопии и структурные особенности с помощью высокоразрешающей рентгеновской дифракции. Спектры терагерцового излучения, генерируемого эпитаксиальными плёнками LT-InGaAs, исследовались методом терагерцовой спектроскопии с временным разрешением (ТСВР) при накачке волоконным фемтосекундным лазером с длиной волны 1.56 мкм. Показано, что эффективность генерации излучения слоями LT-InGaAs на подложках InP (411)A в 3–5 раз эффективнее, чем на подложках InP (100). При разработке излучающих терагерцовых антенн в ТГц и ГГц диапазонах использование подложек InP с ориентацией (411)A может оказаться более предпочтительным для получения LT-InGaAs.
- Добавил в систему: Кузнецов Кирилл Андреевич
Прикрепленные файлы
| № | Имя | Описание | Имя файла | Размер | Добавлен |
|---|---|---|---|---|---|
| 1. | Полный текст | Сборник тезисов | ISVPE-2016_electronic_version_of_abstracts.pdf | 5,8 МБ | 15 декабря 2016 [Kirill_Kuznetsov] |