|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Investigation of Critical Points of Pore Formation Voltage on the Surface of Semiconductors of A3B5 Groupстатья
- Авторы: Bohdanov Ihor, Suchikova Yana, Kovachov Sergii, Peregudova Valentina, Dauletbekova Alma K., Popov Anatoli I.
- Сборник: 2021 IEEE 12th International Conference on Electronics and Information Technologies (ELIT)
- Год издания: 2021
- Место издания: IEEE
- Первая страница: 190
- Последняя страница: 193
- DOI: 10.1109/elit53502.2021.9501107
- Добавил в систему: Попов (Popov) Анатолий (Anatoli) Иванович