|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Molecular Dynamics Simulation of Heat Transfer and Stresses in Thin Films Caused by a Short Laser Pulseстатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 25 августа 2021 г.
- Авторы: Grigoriev F.V., Zhupanov V.P., Chesnokov D.A., Sulimov V.B., Tikhonravov A.V.
- Журнал: Lobachevskii Journal of Mathematics
- Том: 42
- Номер: 7
- Год издания: 2021
- Издательство: Kazanskii Gosudarstvennyi Universitet/Kazan State University
- Местоположение издательства: Russian Federation
- Первая страница: 1514
- Последняя страница: 1520
- DOI: 10.1134/S199508022107009X
- Аннотация: Using the classical molecular dynamics method, the influence of absorption of laser radiation on heat transfer and temperature distribution in silicon dioxide thin films is studied. It is revealed that heating the film to a temperature close to the melting point leads to the appearance of compressive stresses with an amplitude of about 800–1000 MPa. Such high stresses can cause a thermoelastic breakdown of films.
- Добавил в систему: Григорьев Федор Васильевич