|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinsertsстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 декабря 2016 г.
- Авторы: Ponomarev D.S., Vasil’evskii I.S., Galiev G.B., Klimov E.A., Khabibullin R.A., Kulbachinskii V.A., Uzeeva N.A.
- Журнал: Semiconductors
- Том: 46
- Номер: 4
- Год издания: 2012
- Издательство: Springer
- Местоположение издательства: New York
- Первая страница: 484
- Последняя страница: 490
- DOI: 10.1134/S1063782612040173
- Добавил в систему: Кульбачинский Владимир Анатольевич