A PLANAR CHANNELING TECHNIQUE TO STUDY THE STRUCTURE OF THE COMPLEXES FORMED BY ARSENIC IN SILICON AT HIGH ARSENIC CONCENTRATIONSстатья

Статья опубликована в высокорейтинговом журнале

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.

Работа с статьей


[1] A planar channeling technique to study the structure of the complexes formed by arsenic in silicon at high arsenic concentrations / G. POKHIL, A. TULINOV, A. TURINGE et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 1986. — Vol. 13, no. 1-3. — P. 84–86.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть