|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
Интеллектуальная Система Тематического Исследования НАукометрических данных |
||
A PLANAR CHANNELING TECHNIQUE TO STUDY THE STRUCTURE OF THE COMPLEXES FORMED BY ARSENIC IN SILICON AT HIGH ARSENIC CONCENTRATIONSстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 18 июля 2013 г.
- Авторы: POKHIL GP, TULINOV AF, TURINGE AA, DVURECHENSKY AV, POPOV VP
- Журнал: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms
- Том: 13
- Номер: 1-3
- Год издания: 1986
- Издательство: Elsevier BV
- Местоположение издательства: Netherlands
- Первая страница: 84
- Последняя страница: 86
- Добавил в систему: Похил Григорий Павлович