DEFECT STRUCTURE STUDY WITH PLANAR CHANNELING IN PULSE-ANNEALED ION-IMPLANTED SILICONстатья

Информация о цитировании статьи получена из Scopus, Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 12 октября 2013 г.

Работа с статьей


[1] Defect structure study with planar channeling in pulse-annealed ion-implanted silicon / A. DVURECHENSKII, B. KASHNIKOV, G. POKHIL et al. // Physica status solidi (A): Applied research. — 1984. — Vol. 85, no. 1. — P. K39–K42.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть