Пространственное разрешение изоюражений при исследовании полупроводниковых структур методом локальной катодолюминесценции растрового электронного микроскопастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 23 января 2020 г.
Аннотация:На основе моделирования электронных траекторий методом Монте-Карло проведен анализ пространственного разрешения при исследовании полупроводников в режиме локальной катодолюминесценции растрового электронного микроскопа. Показано, что высокое пространственное разрешение реализуется при ускоряющем напряжении 10-20 кВ. Экспериментальные результаты, полученные при исследовании КЛ n-GaP, находятся в соответствии с расчетными значениями пространственного разрешения.