Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторестатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.

Работа с статьей


[1] Амитонов С. В., Преснов Д. Е., Крупенин В. А. Кремниевый транзистор с каналом-нанопроводом из неравномерно легированного кремния на изоляторе // Радиотехника. — 2013. — № 5. — С. 30–34. Разработан метод изготовления полевого транзистора с кремниевым каналом-нанопроводом из неравномерно легированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Концентрация легирующей примеси изменялась по глубине кремниевого слоя толщиной 100 нм от величины более 1020 см–3 до значений порядка 1017 см–3. Верхняя высокопроводящая часть слоя служила основой для подводящих электродов с омическими контактами к каналу-нанопроводу. Нижний подслой использовался для формирования полупроводникового канала-нанопровода. Измерены вольтамперные и затворные характеристики экспериментальных структур при температурах 77 и 300 К. Дан анализ возможности использования полевого транзистора на основе кремниевого нанопровода в качестве локального полевого сенсора с нанометровым пространственным разрешением.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть