Исследование электронных свойств одиночных нанокристаллов СdTe и CdTe/CdSe в сканирующем туннельном микроскопестатья

Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 24 января 2020 г.

Работа с статьей


[1] Исследование электронных свойств одиночных нанокристаллов Сdte и cdte/cdse в сканирующем туннельном микроскопе / А. С. Трифонов, Р. Б. Васильев, И. С. Езубченко и др. // Радиотехника. — 2013. — № 5. — С. 35–40. Измерены в сканирующем туннельном микроскопе электронные (вольтамперные) характеристики одиночных нанокристаллов CdTe и нанакристаллов CdTe/CdSe, имеющих форму тетраподов. Обнаружены различные типы вольтамперных характеристик в зависимости от пути протекания тока в нанокристалле. Предложен механизм протекания тока через различные участки тетрапода в туннельном зазоре СТМ, учитывающий деформацию тетрапода электростатическим полем.

Публикация в формате сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл сохранить в файл скрыть